GIS局部放電特點(diǎn)
 局部放電的機(jī)理可理解為在電場(chǎng)作用下,絕緣系統(tǒng)中只有部分區(qū)域發(fā)生放電,而沒(méi)有貫穿施加電壓的導(dǎo)體之間,即尚未擊穿,這種現(xiàn)象稱為局部放電。局部放電產(chǎn)生于流注起始階段，這對(duì)于幾乎所有的電壓種類都是一樣的，且低于最小先導(dǎo)起始電壓和擊穿電壓。局部放電可能發(fā)生在導(dǎo)體上，也可能發(fā)生在絕緣體的表面或內(nèi)部。

GIS絕緣早期故障的主要形式是局部放電，局部放電主要由下列缺陷引發(fā)的：
 a 載流導(dǎo)體表面缺陷，如毛刺、尖角等引起導(dǎo)體表面電場(chǎng)強(qiáng)度不均勻。這些缺陷通常在制造質(zhì)量上或安裝時(shí)刮傷造成的，在穩(wěn)定的工頻電壓下不易引起擊穿，但在操作或沖擊電壓下很可能引起擊穿。
b絕緣子表面缺陷。如制造質(zhì)量不良、絕緣子有氣泡或裂紋，以及安裝遺留下的污跡、塵埃等。
c  GIS筒內(nèi)在制造和安裝過(guò)程中存留的自由導(dǎo)電微粒。
d  導(dǎo)電部分接觸不良。